Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
FGA60N60UFDTU, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 298 Вт
Цена по запросу

FGA60N60UFDTU, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 298 Вт

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 298 Вт ON Semiconductor
Макс. напр. коллектор-эмиттер 600 В
Макс. ток коллектора 120 А
Импульсный ток коллектора макс. 180 А
Макс. рассеиваемая мощность 298 Вт
Переключаемая энергия 1.81 мДж
Корпус TO-3P
Вес брутто 6.401 г.
Наименование FGA60N60UFDTU
Производитель ON Semiconductor
Описание Eng IGBT 600V 120A 298W TO3P
Тип упаковки Tube (туба)
Нормоупаковка 450 шт.