Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
FGA60N65SMD, Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 600 Вт
IGBT, 650V, 120A, TO-3PN
Корпус TO3P
Максимальная рабочая температура +175 °C
Длина 15.8мм
Transistor Configuration Одинарный
Производитель ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 650 В
Максимальный непрерывный ток коллектора 120 А
Тип корпуса TO-3PN
Максимальное рассеяние мощности 600 W
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура -55 °C
Ширина 5мм
Высота 20.1мм
Число контактов 3
Размеры 15.8 x 5 x 20.1мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер ±20V
Тип канала N
Вес, г 6.5
ON Semiconductor
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 650 В |
| Макс. ток коллектора | 120 А |
| Импульсный ток коллектора макс. | 180 А |
| Макс. рассеиваемая мощность | 600 Вт |
| Переключаемая энергия | 1.54 мДж |
| Корпус | TO-3PN |
| Вес брутто | 5.5 г. |
| Наименование | FGA60N65SMD |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | IGBT 650V 120A 600W TO3P |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 450 шт |
