Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
info@bastionit.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
FGH25N120FTDS, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 313 Вт
Цена по запросу

FGH25N120FTDS, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 313 Вт

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 313 Вт ON Semiconductor
Макс. напр. коллектор-эмиттер 1200 В
Макс. ток коллектора 50 А
Импульсный ток коллектора макс. 75 А
Макс. рассеиваемая мощность 313 Вт
Переключаемая энергия 1.42 мДж
Корпус TO-247
Вес брутто 8.5 г.
Наименование FGH25N120FTDS
Производитель ON Semiconductor
Описание Eng IGBT 1200V 50A 313W TO247
Тип упаковки Tube (туба)
Нормоупаковка 300 шт.

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных