Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
FGH30S130P, Биполярный транзистор IGBT, 1300 В, 60 А, 500 Вт
Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor
Максимальная рабочая температура +175 °C
Длина 15.87мм
Transistor Configuration Одинарный
Производитель ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 1300 В
Максимальный непрерывный ток коллектора 60 А
Тип корпуса TO-247
Максимальное рассеяние мощности 500 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура -55 °C
Ширина 4.82мм
Высота 20.82мм
Число контактов 3
Размеры 15.87 x 4.82 x 20.82мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер ±25V
Тип канала N
Вес, г 7.5
ON Semiconductor
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 1300 В |
| Макс. ток коллектора | 60 А |
| Импульсный ток коллектора макс. | 90 А |
| Макс. рассеиваемая мощность | 500 Вт |
| Корпус | TO-247 |
| Вес брутто | 6.6 г. |
| Наименование | FGH30S130P |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | IGBT 1300V 60A 500W TO-247AB |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 30 шт |
