Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
FGH40T100SMD, Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 80 А, 333 Вт
Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor
Технология/семейство trench and fieldstop
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 1000
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 333
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 29
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 285
Рабочая температура (Tj), °C -55…+175
Корпус to-247a03
Вес, г 7.5
ON Semiconductor
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 1000 В |
| Макс. ток коллектора | 80 А |
| Импульсный ток коллектора макс. | 120 А |
| Макс. рассеиваемая мощность | 333 Вт |
| Переключаемая энергия | 2.35 мДж |
| Корпус | TO-247 |
| Вес брутто | 6.78 г. |
| Наименование | FGH40T100SMD |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | IGBT 1000V 80A 333W TO247-3 |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 30 шт |
