Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
FGH40T120SMD, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 555 Вт
Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor
Maximum Operating Temperature +175 °C
Length 15.87mm
Transistor Configuration Single
Brand ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 80 A
Package Type TO-247
Maximum Power Dissipation 555 W
Mounting Type Through Hole
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 4.82mm
Height 20.82mm
Pin Count 3
Dimensions 15.87 x 4.82 x 20.82mm
Maximum Gate Emitter Voltage ±25V
Channel Type N
Вес, г 7.5
ON Semiconductor
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 1200 В |
| Макс. ток коллектора | 80 А |
| Импульсный ток коллектора макс. | 160 А |
| Макс. рассеиваемая мощность | 555 Вт |
| Переключаемая энергия | 2.7 мДж |
| Корпус | TO-247 |
| Вес брутто | 6.86 г. |
| Наименование | FGH40T120SMD |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | IGBT 1200V 80A 555W TO247-3 |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 30 шт |
