Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
FGH60N60SMD, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 600W
Характеристики
Структура n-канал+диод
Максимальное напряжение кэ ,В 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.9
Управляющее напряжение,В 4.5
Мощность макс.,Вт 600
Крутизна характеристики, S -
Температурный диапазон,С -55…+175
Дополнительные опции встроенный быстродействующий диод
Корпус to-247
ON Semiconductor
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 600 В |
| Макс. ток коллектора | 120 А |
| Импульсный ток коллектора макс. | 180 А |
| Макс. рассеиваемая мощность | 600 Вт |
| Переключаемая энергия | 1.26 мДж |
| Корпус | TO-247 |
| Вес брутто | 6.7 г. |
| Наименование | FGH60N60SMD |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | IGBT Chip N-CH 600V 120A 600000mW |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 30 шт |
