Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
FGL40N120ANDTU, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 64 А, 500 Вт
Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor
Технология/семейство npt
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 64
Импульсный ток коллектора (Icm), А 160
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3.2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 500
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 15
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 110
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус TO-264
Структура n-канал+диод
Вес, г 10
ON Semiconductor
Макс. напр. коллектор-эмиттер | 1200V |
Макс. ток коллектора | 64A |
Макс. рассеиваемая мощность | 500W |
Корпус | TO-264 |
Вес брутто | 12.44 г. |
Наименование | FGL40N120ANDTU |
Производитель | ON Semiconductor |
Описание Eng | IGBT Chip N-CH 1200V 64A 500 W 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
Тип упаковки | Tube (туба) |
Нормоупаковка | 25 шт |