Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
FGL60N100BNTD, Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 60 А, 180 Вт
Корпус TO264
Технология/семейство npt trench
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 1000
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.9
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 180
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 140
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 630
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус TO-264
Вес, г 10
Полезная информация
* Транзисторы IGBT компании "Fairchild Semiconductor"
ON Semiconductor
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 1000 В |
| Макс. ток коллектора | 60 А |
| Импульсный ток коллектора макс. | 120 А |
| Макс. рассеиваемая мощность | 180 Вт |
| Корпус | TO264 |
| Вес брутто | 12.52 г. |
| Наименование | FGL60N100BNTD |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | IGBT 1000V 60A 180W TO264 |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 25 шт |
