Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
FGY75N60SMD, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 150 А, 750 Вт
Характеристики
Структура n-канал+диод
Максимальное напряжение кэ ,В 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 75
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.9
Управляющее напряжение,В 5
Мощность макс.,Вт 750
Крутизна характеристики, S -
Температурный диапазон,С -55…175
Корпус to-247
ON Semiconductor
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 600 В |
| Макс. ток коллектора | 150 А |
| Импульсный ток коллектора макс. | 225 А |
| Макс. рассеиваемая мощность | 750 Вт |
| Переключаемая энергия | 2.3 мДж |
| Вес брутто | 8.37 г. |
| Наименование | FGY75N60SMD |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | IGBT Chip N-CH 600V 150A 750W 3-Pin Power-247 Tube |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 30 шт |
| Корпус | Power-247 |
