Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
FP35R12KT4B15BOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 35A
Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 35A
Infineon Technologies
| Напряжение коллектор-эмиттер | 1200В |
| Ток коллектора | 35А |
| Максимальная мощность | 210 Вт |
| Вес брутто | 200 г. |
| Наименование | FP35R12KT4B15BOSA1 |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 210000mW 24-Pin Tray |
| Нормоупаковка | 10 шт. |
| Корпус | ECONO2-1 |
Похожие товары
Цена по запросу
