Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

FP75R12KE3BOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 A, 355Вт

IGBT Modules, Infineon The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V. The PrimePACK IGBT’s can be found in Industrial, commercial, construction and agricultural vehicles. The N-Channel TRENCHSTOP TM and Fieldstop IGBT Modules are suitable for hard switching and soft switching applications such as Inverters, UPS and Industrial drives. Максимальная рабочая температура +125 °C Длина 122мм Transistor Configuration Трехфазный Производитель Infineon Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 1200 В Максимальный непрерывный ток коллектора 105 A Тип корпуса AG-ECONO3-3 Максимальное рассеяние мощности 355 Вт Тип монтажа Монтаж на панель Минимальная рабочая температура -40 °C Ширина 62мм Высота 17мм Размеры 122 x 62 x 17мм Конфигурация 3-фазный мост Максимальное напряжение затвор-эмиттер ±20V Тип канала N Вес, г 180 Infineon Technologies

Напряжение коллектор-эмиттер	1200В
Ток коллектора	75А
Вес брутто	355.6 г.
Наименование	FP75R12KE3BOSA1
Производитель	Infineon Technologies
Описание Eng	IGBT-module, IGBT 3, 1200V, 75A, 3-phase, rectifier, chopper, temperature sensor
Тип упаковки	Bulk (россыпь)
Нормоупаковка	10 шт
Корпус	ECONO2-1