Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

FS75R12KE3BOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В 105 А 350 Вт

IGBT Modules, Infineon The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V. The PrimePACK IGBT's can be found in Industrial, commercial, construction and agricultural vehicles. The N-Channel TRENCHSTOP TM and Fieldstop IGBT Modules are suitable for hard switching and soft switching applications such as Inverters, UPS and Industrial drives. Максимальная рабочая температура +125 °C Длина 107.5мм Transistor Configuration Трехфазные Производитель Infineon Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 1200 В Максимальный непрерывный ток коллектора 105 A Тип корпуса EconoPACK 2 Максимальное рассеяние мощности 350 Вт Тип монтажа Монтаж на печатную плату Минимальная рабочая температура -40 °C Ширина 45мм Высота 17мм Число контактов 28 Размеры 107.5 x 45 x 17мм Конфигурация 3-фазный мост Максимальное напряжение затвор-эмиттер ±20V Тип канала N Вес, г 180 Infineon Technologies

Напряжение коллектор-эмиттер	1200В
Ток коллектора	105А
Максимальная мощность	350 Вт
Корпус	ECONOD-3
Вес брутто	218.4 г.
Наименование	FS75R12KE3BOSA1
Производитель	Infineon Technologies
Описание Eng	IGBT Module N-CH 1200V 105A 350W 28-Pin ECONO2-6 Tray
Тип упаковки	Штучный товар
Нормоупаковка	10 шт