Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
GD150HFU120C2S, Модуль IGBT 1200В 150А
Цена по запросу
Заказать в 1 клик

GD150HFU120C2S, Модуль IGBT 1200В 150А

Модуль IGBT 1200В 150А STARPOWER Semiconductor Ltd.
Напряжение коллектор-эмиттер 1200В
Ток коллектора 150А
Вес брутто 335 г.
Наименование GD150HFU120C2S
Производитель STARPOWER Semiconductor Ltd.
Тип упаковки Штучный товар
Нормоупаковка 1 шт

Похожие товары

DFI300HF12I4ME1, IGBT Модуль 1200В, 300А, полумостовой
DFI300HF12I4ME1, IGBT Модуль 1200В, 300А, полумостовой
Цена по запросу
Заказать в 1 клик
DFI450HF12I4ME1, IGBT Модуль 1200В, 450А, полумостовой
DFI450HF12I4ME1, IGBT Модуль 1200В, 450А, полумостовой
Цена по запросу
Заказать в 1 клик
DFI450HF17I4RE1, IGBT Модуль 1700В, 450А, полумостовой
DFI450HF17I4RE1, IGBT Модуль 1700В, 450А, полумостовой
Цена по запросу
Заказать в 1 клик
DFI600HF17I4RE1, IGBT Модуль 1700В, 600А, полумостовой
DFI600HF17I4RE1, IGBT Модуль 1700В, 600А, полумостовой
Цена по запросу
Заказать в 1 клик
FF200R12KT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт
FF200R12KT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт
Цена по запросу
Заказать в 1 клик
FP35R12W2T4BOMA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 35A
FP35R12W2T4BOMA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 35A
Цена по запросу
Заказать в 1 клик
IGCM06F60GAXKMA1, Mодуль IGBT силовой трехфазный 6А 600В PG-MDIP-24
IGCM06F60GAXKMA1, Mодуль IGBT силовой трехфазный 6А 600В PG-MDIP-24
Цена по запросу
Заказать в 1 клик
SKM100GB125DN, Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 100А 7-Pin Case D-93
SKM100GB125DN, Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 100А 7-Pin Case D-93
Цена по запросу
Заказать в 1 клик