Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
GT50J327, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А
Toshiba Semiconductor
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 600V |
| Макс. ток коллектора | 50A |
| Корпус | TO-3P |
| Вес брутто | 10 г. |
| Наименование | GT50J327 |
| Производитель | Toshiba Semiconductor |
| Примечание | Параметры: Vces=575В. Проверено |
| Описание Eng | Bipolar transistor IGBT, 600 V, 50 A |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 25 шт |
