Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
GT60N321, Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 60 А, 170 Вт (Recommended replacement: GT60PR21)
Технология/семейство gen4
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 1000
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 170
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 330
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 700
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус 2-21f2c
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 1000
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 1000
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 60
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 75
Корпус to3p
Вес, г 9.8
Toshiba Semiconductor
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 1000V |
| Макс. ток коллектора | 60A |
| Макс. рассеиваемая мощность | 170W |
| Вес брутто | 10 г. |
| Наименование | GT60N321 |
| Производитель | Toshiba Semiconductor |
| Примечание | форм. выводы под 90 град. Параметры: Vces=900В. Проверено |
| Описание Eng | Bipolar transistor IGBT, 1000 V, 60 A, 170 W |
| Тип упаковки | Bulk (россыпь) |
| Нормоупаковка | 30 шт |
| Корпус | 2-21F2C |
