Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
HGT1S10N120BNST, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт
Полезная информация
* Транзисторы IGBT компании "Fairchild Semiconductor"
ON Semiconductor
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 1200 В |
| Макс. ток коллектора | 35 А |
| Импульсный ток коллектора макс. | 80 А |
| Макс. рассеиваемая мощность | 298 Вт |
| Переключаемая энергия | 320 мкДж |
| Корпус | D2PAK/TO263 |
| Наименование | HGT1S10N120BNST |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | IGBT 1200V 35A 298W TO263AB |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 800 шт. |
