Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
HGT1S12N60A4DS, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 54 А, 167 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 54 А, 167 Вт
ON Semiconductor
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 600 В |
| Макс. ток коллектора | 54 А |
| Импульсный ток коллектора макс. | 96 А |
| Макс. рассеиваемая мощность | 167 Вт |
| Переключаемая энергия | 55 мкДж |
| Корпус | D2PAK/TO263 |
| Наименование | HGT1S12N60A4DS |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | IGBT 600V 54A 167W D2PAK |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 800 шт. |
