Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
HGTD1N120BNS9A, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 5.3 А, 60 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 5.3 А, 60 Вт
ON Semiconductor
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 1200 В |
| Макс. ток коллектора | 5.3 А |
| Импульсный ток коллектора макс. | 6 А |
| Макс. рассеиваемая мощность | 60 Вт |
| Переключаемая энергия | 70 мкДж |
| Корпус | DPAK/TO-252AA |
| Наименование | HGTD1N120BNS9A |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 2500 шт. |
