Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
HGTG11N120CND, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 43 А, 298 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 43 А, 298 Вт
Полезная информация
* Транзисторы IGBT компании "Fairchild Semiconductor"
ON Semiconductor
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 1200 В |
| Макс. ток коллектора | 43 А |
| Импульсный ток коллектора макс. | 80 А |
| Макс. рассеиваемая мощность | 298 Вт |
| Переключаемая энергия | 950 мкДж |
| Корпус | TO-247 |
| Вес брутто | 7.09 г. |
| Наименование | HGTG11N120CND |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 30 шт |
