Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
HGTG12N60A4D, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 54 А, 167 Вт
Характеристики
Структура -
Максимальное напряжение кэ ,В -
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A -
Напряжение насыщения при номинальном токе, В -
Управляющее напряжение,В -
Мощность макс.,Вт -
Крутизна характеристики, S -
Температурный диапазон,С -
Дополнительные опции -
Корпус -
Полезная информация
* Транзисторы IGBT компании "Fairchild Semiconductor"
ON Semiconductor
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 600 В |
| Макс. ток коллектора | 54 А |
| Импульсный ток коллектора макс. | 96 А |
| Макс. рассеиваемая мощность | 167 Вт |
| Переключаемая энергия | 55 мкДж |
| Корпус | TO-247 |
| Вес брутто | 6.8 г. |
| Наименование | HGTG12N60A4D |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 30 шт |
