Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
HGTG20N60A4D, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 290 Вт
Характеристики
Структура igbt+диод
Максимальное напряжение кэ ,В 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 70
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.8
Управляющее напряжение,В 5.5
Мощность макс.,Вт 290
Температурный диапазон,С -55…150
Корпус to-247
Полезная информация
* Транзисторы IGBT компании "Fairchild Semiconductor"
ON Semiconductor
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 600 В |
| Макс. ток коллектора | 70 А |
| Импульсный ток коллектора макс. | 280 А |
| Макс. рассеиваемая мощность | 290 Вт |
| Переключаемая энергия | 105 мкДж |
| Корпус | TO-247 |
| Вес брутто | 6.75 г. |
| Наименование | HGTG20N60A4D |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 30 шт |
