Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
HGTG30N60A4D, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 463 Вт
Характеристики
Структура n-канал
Максимальное напряжение кэ ,В 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 75
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.6
Управляющее напряжение,В 7
Мощность макс.,Вт 463
Крутизна характеристики, S -
Температурный диапазон,С -55…150
Корпус to-247
Полезная информация
* Транзисторы IGBT компании "Fairchild Semiconductor"
ON Semiconductor
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 600 В |
| Макс. ток коллектора | 75 А |
| Импульсный ток коллектора макс. | 240 А |
| Макс. рассеиваемая мощность | 463 Вт |
| Переключаемая энергия | 280 мкДж |
| Вес брутто | 7 г. |
| Наименование | HGTG30N60A4D |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | IGBT Chip N-CH 600V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 30 шт |
| Корпус | TO-247-3LD (Case 340CK) |
