Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
HGTP20N60A4, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 290 Вт
Цена по запросу

HGTP20N60A4, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 290 Вт

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 290 Вт ON Semiconductor
Макс. напр. коллектор-эмиттер 600V
Макс. ток коллектора 70A
Импульсный ток коллектора макс. 280A
Макс. рассеиваемая мощность 290W
Переключаемая энергия 105 µJ (on), 150 µJ (off)
Корпус TO-220AB
Вес брутто 3.14 г.
Наименование HGTP20N60A4
Производитель ON Semiconductor
Описание Eng IGBT 600V 70A 290W TO220AB
Тип упаковки Tube (туба)
Нормоупаковка 50 шт