Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
info@bastionit.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
IGB50N60TATMA1, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 90 А, 333 Вт
Цена по запросу

IGB50N60TATMA1, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 90 А, 333 Вт

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 90 А, 333 Вт Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер 600V
Макс. ток коллектора 90A
Макс. рассеиваемая мощность 333W
Корпус D2PAK/TO263
Вес брутто 1.2 г.
Наименование IGB50N60TATMA1
Производитель Infineon Technologies
Описание Eng Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Нормоупаковка 1000 шт.

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных