Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IGW15N120H3FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 217 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 217 Вт
Infineon Technologies
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 1200V |
| Макс. ток коллектора | 30A |
| Макс. рассеиваемая мощность | 217W |
| Корпус | TO-247 |
| Вес брутто | 8.5 г. |
| Наименование | IGW15N120H3FKSA1 |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
| Нормоупаковка | 240 шт. |
