Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
info@bastionit.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
IGW25N120H3FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 326 Вт
Цена по запросу

IGW25N120H3FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 326 Вт

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 326 Вт Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер 1200 В
Макс. ток коллектора 50 А
Импульсный ток коллектора макс. 100 А
Макс. рассеиваемая мощность 326 Вт
Переключаемая энергия 2.65 мДж
Корпус PG-TO-247-3
Вес брутто 8.5 г.
Наименование IGW25N120H3FKSA1
Производитель Infineon Technologies
Описание Eng IGBT 1200V 50A 326W TO247-3
Тип упаковки Tube (туба)
Нормоупаковка 30 шт

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных