Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IGW40T120FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 270 Вт
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
Технология/семейство trench and fieldstop
Наличие встроенного диода нет
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 75
Импульсный ток коллектора (Icm), А 105
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 270
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 48
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 480
Рабочая температура (Tj), °C -40…+150
Корпус pg-to-247-3
Структура n-канал
Управляющее напряжение,В 5.8
Крутизна характеристики, S 21
Вес, г 7.5
Infineon Technologies
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 1200V |
| Макс. ток коллектора | 75A |
| Макс. рассеиваемая мощность | 270W |
| Корпус | TO-247 |
| Вес брутто | 8.5 г. |
| Наименование | IGW40T120FKSA1 |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270 W |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 30 шт |
