Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IHW20N120R3FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 310 Вт
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
Технология/семейство trench
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 40
Импульсный ток коллектора (Icm), А 60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 310
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 387
Рабочая температура (Tj), °C -40…+175
Корпус pg-to247-3
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 1200
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 1200
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 40
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 310
Корпус to247
Вес, г 7.5
Infineon Technologies
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 1200V |
| Макс. ток коллектора | 40A |
| Макс. рассеиваемая мощность | 310W |
| Переключаемая энергия | 950 мкДж |
| Корпус | TO-247 |
| Вес брутто | 8.11 г. |
| Наименование | IHW20N120R3FKSA1 |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | IGBT Chip N-CH 1200V 40A 310000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 30 шт |
