Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
sales@bastion24.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
IKD06N60RFATMA1, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 100000 мВт
Цена по запросу

IKD06N60RFATMA1, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 100000 мВт

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 100000 мВт Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер 600V
Макс. ток коллектора 12A
Макс. рассеиваемая мощность 100W
Корпус DPAK/TO-252AA
Вес брутто 0.6 г.
Наименование IKD06N60RFATMA1
Производитель Infineon Technologies
Описание Eng Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Нормоупаковка 2500 шт.

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных