Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IKP15N65F5XKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 30 А, 105 Вт
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
Максимальная рабочая температура +175 °C
Длина 10.36мм
Transistor Configuration Одинарный
Производитель Infineon
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 650 В
Максимальный непрерывный ток коллектора 30 A
Тип корпуса TO-220
Максимальное рассеяние мощности 105 Вт
Energy Rating 0.17mJ
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура -40 °C
Ширина 4.57мм
Высота 15.95мм
Число контактов 3
Размеры 10.36 x 4.57 x 15.95мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер ±20V
Тип канала N
Емкость затвора 930пФ
Вес, г 2.8
Infineon Technologies
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 650 В |
| Макс. ток коллектора | 30 А |
| Импульсный ток коллектора макс. | 45 А |
| Макс. рассеиваемая мощность | 105 Вт |
| Переключаемая энергия | 130 мкДж |
| Корпус | TO-220 |
| Наименование | IKP15N65F5XKSA1 |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | IGBT 650V 30A 105W PG-TO220-3 |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 500 шт. |
