Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IKW15N120H3FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 217 Вт
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
Технология/семейство trench and fieldstop
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 30
Импульсный ток коллектора (Icm), А 60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 217
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 21
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 260
Рабочая температура (Tj), °C -40…+175
Корпус pg-to247-3
Вес, г 7.5
Infineon Technologies
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 1200 В |
| Макс. ток коллектора | 30 А |
| Импульсный ток коллектора макс. | 60 А |
| Макс. рассеиваемая мощность | 217 Вт |
| Переключаемая энергия | 1.55 мДж |
| Корпус | PG-TO-247-3 |
| Вес брутто | 8.37 г. |
| Наименование | IKW15N120H3FKSA1 |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | IGBT 1200V 30A 217W |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 30 шт |
