Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IKW25N120H3FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 326 Вт
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
Максимальная рабочая температура +175 °C
Длина 16.13мм
Transistor Configuration Одинарный
Производитель Infineon
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора 50 A
Тип корпуса TO-247
Максимальное рассеяние мощности 326 Вт
Energy Rating 4.3mJ
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура -40 °C
Ширина 5.21мм
Высота 21.1мм
Число контактов 3
Размеры 16.13 x 5.21 x 21.1мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер ±20V
Тип канала N
Емкость затвора 1430пФ
Вес, г 7.5
Infineon Technologies
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 1200 В |
| Макс. ток коллектора | 50 А |
| Импульсный ток коллектора макс. | 100 А |
| Макс. рассеиваемая мощность | 326 Вт |
| Переключаемая энергия | 2.65 мДж |
| Корпус | PG-TO-247-3 |
| Вес брутто | 8 г. |
| Наименование | IKW25N120H3FKSA1 |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | IGBT 1200V 50A 326W TO247-3 |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 30 шт |
