Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IKW30N60H3FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60А, 187 Вт
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
Технология/семейство trench and fieldstop
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 187
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 21
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 207
Рабочая температура (Tj), °C -40…+175
Корпус pg-to247-3
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 600
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 600
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 60
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 30
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 40
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 187
Корпус to247
Вес, г 7.5
Infineon Technologies
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 600V |
| Макс. ток коллектора | 60A |
| Макс. рассеиваемая мощность | 187W |
| Корпус | PG-TO-247-3 |
| Вес брутто | 8.18 г. |
| Наименование | IKW30N60H3FKSA1 |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | IGBT Chip N=-CH 600V 60A 187000mW |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 30 шт |
