Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
info@bastionit.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
IKW40N120T2FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 480 Вт
Цена по запросу

IKW40N120T2FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 480 Вт

Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode. Технология/семейство trenchstop 2 Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ ,В 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 75 Импульсный ток коллектора (Icm), А 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 480 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 33 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 314 Рабочая температура (Tj), °C -40…+175 Корпус pg-to247-3 Вес, г 7.5 Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер 1200 В
Макс. ток коллектора 75 А
Импульсный ток коллектора макс. 160 А
Макс. рассеиваемая мощность 480 Вт
Переключаемая энергия 5.25 мДж
Корпус PG-TO-247-3
Вес брутто 7.96 г.
Наименование IKW40N120T2FKSA1
Производитель Infineon Technologies
Описание Eng IGBT 1200V 75A 480W TO247-3
Тип упаковки Tube (туба)
Нормоупаковка 30 шт

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных