Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IKW40N65F5FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
Channel Type N
Configuration Single
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 650
Maximum Gate Emitter Voltage (V) ±20
Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) 1.6
Maximum Continuous Collector Current (A) 74
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) 0.1
Maximum Power Dissipation (mW) 255000
Minimum Operating Temperature (°C) -40
Maximum Operating Temperature (°C) 175
Packaging Tube
Automotive No
Pin Count 3
Supplier Package TO-247
Standard Package Name TO-247
Military No
Mounting Through Hole
Package Height 20.95
Package Length 15.9
Package Width 5.03
PCB changed 3
Tab Tab
Lead Shape Through Hole
Вес, г 7.5
Infineon Technologies
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 650 В |
| Макс. ток коллектора | 74 А |
| Импульсный ток коллектора макс. | 120 А |
| Макс. рассеиваемая мощность | 255 Вт |
| Переключаемая энергия | 360 мкДж |
| Корпус | PG-TO-247-3 |
| Наименование | IKW40N65F5FKSA1 |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3 |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 240 шт. |
