Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
IKW50N60H3FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 100 А, 333 Вт
Цена по запросу

IKW50N60H3FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 100 А, 333 Вт

Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 100 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.85 Управляющее напряжение,В 5.1 Мощность макс.,Вт 333 Крутизна характеристики, S 30 Температурный диапазон,С -55…+150 Корпус to-247 Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер 600 В
Макс. ток коллектора 100 А
Импульсный ток коллектора макс. 200 А
Макс. рассеиваемая мощность 333 Вт
Переключаемая энергия 2.36 мДж
Корпус PG-TO-247-3
Вес брутто 8.1 г.
Наименование IKW50N60H3FKSA1
Производитель Infineon Technologies
Описание Eng IGBT+D 600V, 50A, 330W, Tf
Тип упаковки Tube (туба)
Нормоупаковка 30 шт