Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IKW50N60TFKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 333 Вт
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
Технология/семейство trench and fieldstop
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А 150
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 333
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 26
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 299
Рабочая температура (Tj), °C -40…+175
Корпус pg-to247-3
Вес, г 7.5
Infineon Technologies
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 600V |
| Макс. ток коллектора | 80A |
| Макс. рассеиваемая мощность | 333W |
| Корпус | PG-TO-247-3 |
| Вес брутто | 7.93 г. |
| Наименование | IKW50N60TFKSA1 |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | IGBT N-CH 600V 80A 333W |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 30 шт |
