Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRG4PF50WPBF, Биполярный транзистор IGBT, 900 В, 51 А, 200 Вт
Характеристики
Структура n-канал
Максимальное напряжение кэ ,В 900
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 51
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.25
Управляющее напряжение,В 6
Мощность макс.,Вт 200
Крутизна характеристики, S 39
Температурный диапазон,С -55…150
Корпус to-247
Полезная информация
* ЕДИНИЧНЫЕ IGBT
Infineon Technologies
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 900 В |
| Макс. ток коллектора | 51 А |
| Импульсный ток коллектора макс. | 204 А |
| Макс. рассеиваемая мощность | 200 Вт |
| Переключаемая энергия | 190 мкДж |
| Корпус | TO-247AC |
| Вес брутто | 3.2 г. |
| Наименование | IRG4PF50WPBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | 900V Warp 20-100 kHz Discrete IGBT in a TO-247AC p |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 25 шт |
