Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRG4PH50SPBF, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 33 А, 200 Вт
Single IGBT over 21A, Infineon
Optimised IGBTs designed for medium frequency applications with fast response and provide the user with the highest efficiency available. Utilising FRED diodes optimised to provide the best performance with IGBT's
Технология/семейство gen4
Наличие встроенного диода нет
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 57
Импульсный ток коллектора (Icm), А 114
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 200
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 32
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 845
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус to-247ac
Структура n-канал
Управляющее напряжение,В 6
Крутизна характеристики, S 40
Вес, г 7.5
Infineon Technologies
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 1200 В |
| Макс. ток коллектора | 57 А |
| Импульсный ток коллектора макс. | 114 А |
| Макс. рассеиваемая мощность | 200 Вт |
| Переключаемая энергия | 1.8 мДж |
| Корпус | TO-247AC |
| Вес брутто | 7.2 г. |
| Наименование | IRG4PH50SPBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | 1200V DC-1 kHz (Standard) Discrete IGBT in a TO-247AC package |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 25 шт |
