Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRGP30B120KD-EP, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 60 А, 300 Вт
Co-Pack IGBT over 21A, Infineon
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.
Технология/семейство npt
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 300
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 50
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 210
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус TO-247AD
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 1200
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 1200
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 30
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 30
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 40
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 300
Корпус to247ad
Структура n-канал+диод
Управляющее напряжение,В 5
Крутизна характеристики, S 16.9
Вес, г 7.5
Infineon Technologies
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 1200 В |
| Макс. ток коллектора | 60 А |
| Импульсный ток коллектора макс. | 120 А |
| Макс. рассеиваемая мощность | 300 Вт |
| Переключаемая энергия | 1.07 мДж |
| Корпус | TO-247AD |
| Вес брутто | 7.64 г. |
| Наименование | IRGP30B120KD-EP |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | IGBT N-CH 1200V 60A 300 W |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 25 шт |
