Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
info@bastionit.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
IRGPS60B120KDP, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 105 А
Цена по запросу

IRGPS60B120KDP, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 105 А

Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 105 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.5 Управляющее напряжение,В 5 Мощность макс.,Вт 595 Крутизна характеристики, S 34.4 Температурный диапазон,С -55…150 Дополнительные опции - Корпус super247 Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер 1200 В
Макс. ток коллектора 105 А
Импульсный ток коллектора макс. 240 А
Макс. рассеиваемая мощность 595 Вт
Переключаемая энергия 3.21 мДж
Вес брутто 8.16 г.
Наименование IRGPS60B120KDP
Производитель Infineon Technologies
Описание Eng IGBT Chip N-CH 1200V 105A
Тип упаковки Tube (туба)
Нормоупаковка 25 шт
Корпус Super-247 (TO-274AA)

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных