Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
NGTB15N60S1EG, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 117 Вт
Цена по запросу

NGTB15N60S1EG, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 117 Вт

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 117 Вт ON Semiconductor
Макс. напр. коллектор-эмиттер 600 В
Макс. ток коллектора 30 А
Импульсный ток коллектора макс. 120 А
Макс. рассеиваемая мощность 117 Вт
Переключаемая энергия 550 мкДж
Корпус TO-220
Вес брутто 3.5 г.
Наименование NGTB15N60S1EG
Производитель ON Semiconductor
Описание Eng IGBT 600V 30A 117W TO220-3
Тип упаковки Tube (туба)
Нормоупаковка 50 шт.