Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
NGTB35N65FL2WG, Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 70 А, 300 Вт
Цена по запросу

NGTB35N65FL2WG, Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 70 А, 300 Вт

Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 70 А, 300 Вт ON Semiconductor
Макс. напр. коллектор-эмиттер 650 В
Макс. ток коллектора 70 А
Импульсный ток коллектора макс. 120 А
Макс. рассеиваемая мощность 300 Вт
Переключаемая энергия 840 мкДж
Корпус TO-247
Вес брутто 8.5 г.
Наименование NGTB35N65FL2WG
Производитель ON Semiconductor
Описание Eng IGBT 650V 70A 300W TO247
Тип упаковки Tube (туба)
Нормоупаковка 30 шт.