Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
info@bastionit.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
NGTB40N120FL2WG, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 535 Вт
Цена по запросу

NGTB40N120FL2WG, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 535 Вт

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 535 Вт ON Semiconductor
Макс. напр. коллектор-эмиттер 1200 В
Макс. ток коллектора 80 А
Импульсный ток коллектора макс. 200 А
Макс. рассеиваемая мощность 535 Вт
Переключаемая энергия 3.4 мДж
Корпус TO-247
Вес брутто 8.5 г.
Наименование NGTB40N120FL2WG
Производитель ON Semiconductor
Описание Eng IGBT 1200V 80A 535W TO247
Тип упаковки Tube (туба)
Нормоупаковка 30 шт.

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных