Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

PBRP113ZT,215, Транзистор: PNP

Transistors/Thyristors\Digital Transistors

Collector Current (Ic)	600mA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)	40V
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	230@300mA, 5V
Power Dissipation (Pd)	250mW
Collector Emitter Voltage Max PNP	40В
Continuous Collector Current	600мА
DC Current Gain hFE Min	190hFE
Power Dissipation	570мВт
Количество Выводов	3 Вывода
Корпус РЧ Транзистора	TO-236AB
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Коллектор-Эмиттер	40В
Непрерывный Коллекторный Ток Ic	600мА
Полярность Транзистора	Single PNP
Полярность Цифрового Транзистора	Одиночный PNP
Резистор База-эмиттер R2	10кОм
Резистор На входе Базы R1	1кОм
Стиль Корпуса Транзистора	TO-236AB
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	0.1