Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

PDTC114EM,315, Digital Transistors PDTC114EM/SOT883/XQFN3

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital TransistorsБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения TRANS RET TAPE-7

Pd - рассеивание мощности	250 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.47 mm
Длина	1.02 mm
Другие названия товара №	PDTC114EM T/R
Категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	30
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	10 V
Непрерывный коллекторный ток	100 mA
Пиковый постоянный ток коллектора	100 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	10000
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление	10 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора	1
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SC-101-3
Ширина	0.62 mm
кол-во в упаковке	10000
Collector Emitter Voltage Max NPN	50В
Continuous Collector Current	100мА
DC Current Gain hFE Min	30hFE
Power Dissipation	250мВт
Квалификация	AEC-Q101
Количество Выводов	3 Вывода
Корпус РЧ Транзистора	DFN1006
Линейка Продукции	PDTC114E Series
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Коллектор-Эмиттер	50В
Непрерывный Коллекторный Ток Ic	100мА
Полярность Цифрового Транзистора	Одиночный NPN
Резистор База-эмиттер R2	10кОм
Резистор На входе Базы R1	10кОм
Стандарты Автомобильной Промышленности	AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора	DFN1006
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	0.01