Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

PDTC114ET,215, Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 100мА, 250мВт, SOT23

Описание Биполярный транзистор PDTC114ET,215 от производителя NEXPERIA — это высококачественный компонент для поверхностного монтажа (SMD), предназначенный для широкого спектра электронных применений. Устройство отличается типом NPN и способно выдерживать ток коллектора до 0,1 А, обеспечивая надежную работу при напряжении коллектор-эмиттер до 50 В. Мощность транзистора составляет 0,25 Вт, что позволяет использовать его в компактных схемах с ограниченным тепловыделением. Корпус SOT23|TO236AB обеспечивает удобство монтажа и экономию пространства на печатной плате. Используйте PDTC114ET215 для построения эффективных и надежных электронных схем. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN Монтаж SMD Ток коллектора, А 0.1 Напряжение коллектор-эмиттер, В 50 Мощность, Вт 0.25 Корпус SOT23, TO236AB

Категория	Транзистор
Тип	биполярный
Вид	NPN
Монтаж	SMD
Ток коллектора, А	0.1
Напряжение коллектор-эмиттер, В	50
Мощность, Вт	0.25
Корпус	SOT23, TO236AB
Collector-Emitter Breakdown Voltage	50V
Maximum DC Collector Current	100mA
Pd - Power Dissipation	250mW
Transistor Type	NPN - Pre-Biased
кол-во в упаковке	3000
Collector Current (DC)	0.1(A)
Configuration	Single
DC Current Gain	30
Emitter-Collector Voltage (Max)	50(V)
Package Type	SOT-23
Packaging	Tape and Reel
Power Dissipation	0.25(W)
Type	NPN
Typical Input Resistor	10
Typical Resistor Ratio	1
Maximum Collector Emitter Voltage	50 V
Maximum Emitter Base Voltage	10 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Lead Finish	Tin
Max Processing Temp	260
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage	0.15@0.5mA@10mA V
Minimum DC Current Gain	30@5mA@5V V
Mounting	Surface Mount
Operating Temperature	-65 to 150 °C
Peak DC Collector Current	100 mA
Вес, г	0.02