Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

PDTC114YU,115, Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 200мВт, SOT323

Описание Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 200мВт, SOT323 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Категория	Транзистор
Тип	биполярный
Вид	NPN
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1 mm
Длина	2.2 mm
Другие названия товара №	PDTC114YU T/R
Категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Непрерывный коллекторный ток	100 mA
Пиковый постоянный ток коллектора	100 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	3000
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление	10 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора	0.213
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-323-3
Ширина	1.35 mm
Collector-Emitter Breakdown Voltage	50V
Maximum DC Collector Current	100mA
Pd - Power Dissipation	200mW
Transistor Type	NPN - Pre-Biased
Maximum Collector Emitter Voltage	50 V
Maximum Emitter Base Voltage	10 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	UMT
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Typical Input Resistor	10 kΩ
Typical Resistor Ratio	0.21, 1
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Current - Collector Cutoff (Max)	1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 5mA, 5V
Family	Transistors-Bipolar(BJT)-Single, Pre-Biased
Frequency - Transition	230MHz
Manufacturer	NXP Semiconductors
Package / Case	SC-70, SOT-323
Packaging	Digi-Reel®
Part Status	Active
Power - Max	200mW
Resistor - Base (R1) (Ohms)	10k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)	47k
Standard Package	1
Supplier Device Package	SOT-323
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	100mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Вес, г	0.02