Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
PDTC123JT-QR, Digital Transistors PDTC123JT-Q/ SOT23/TO-236AB
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors
Collector Emitter Voltage Max NPN | 50В |
Continuous Collector Current | 100мА |
DC Current Gain hFE Min | 100hFE |
Power Dissipation | 250мВт |
Количество Выводов | 3 Вывода |
Линейка Продукции | PDTC123J Series |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Полярность Транзистора | Single NPN |
Резистор База-эмиттер R2 | 47кОм |
Резистор На входе Базы R1 | 2.2кОм |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |